IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 36 руб.

Сравнить

Описание

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7406TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1746472

Технические параметры

Вес, г

0.15

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Transistor Material

Length

5mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

59 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

5.8 A

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4mm

Height

1.5mm

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

Forward Transconductance

3.1s

Dimensions

5 x 4 x 1.5mm

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Typical Turn-Off Delay Time

45 ns

Техническая документация

Datasheet IRF7406 , pdf , 236 КБ

IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 36 руб.

Техническая документация