IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 12 В до 20 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7324TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1746473

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

26 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P, WRU

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

170 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

17 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

42 nC @ 5.0 V

Типичная входная емкость при Vds

2940 пФ при -15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Техническая документация

Datasheet IRF7324 , pdf , 165 КБ

IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация