2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]
![2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]](/file/p_img/1749641.jpg)
Производитель: Renesas Technology, 2SK1317-E
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12 Ом/2А, 15В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
Крутизна характеристики, S | 450 |
Корпус | to-3p |
MOSFET, N, TO-3P Корпус TO3P, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1.5 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета…
2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]
![2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]](/file/p_img/1749640.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK117-GR
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.01 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
Крутизна характеристики, S | 15 |
Корпус | TO-92/SC-43/2-5F1D |
2SK1117, Транзистор, N-канал, [TO-220AB]
![2SK1117, Транзистор, N-канал, [TO-220AB]](/file/p_img/1749639.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK1117
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.25 Ом/3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
Крутизна характеристики, S | 4 |
Корпус | TO-220AB/SC-46/2-10P1B |
2SK1102, N-канальный полевой транзистор

Производитель: Нет торговой марки, 2SK1102
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 900 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
Крутизна характеристики, S | 4 |
Корпус | SC-67 |
2SJ668(TE16L1,NQ), Транзистор MOSFET P-CH Si 60В 5А [2-7J1B]
![2SJ668(TE16L1,NQ), Транзистор MOSFET P-CH Si 60В 5А [2-7J1B]](/file/p_img/1749637.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SJ668(TE16L1,NQ)
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.17 Ом/2.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
Крутизна характеристики, S | 5 |
Корпус | 2-7j1b |
2SJ598, Транзистор MOSFET P-канал [TO-220]
Производитель: Китай, 2SJ598
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13 Ом/6А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
Крутизна характеристики, S | 11 |
Корпус | to-220 |
2SJ512 Formed Leads, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
![2SJ512 Formed Leads, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]](/file/p_img/1749635.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SJ512 Formed Leads
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
![2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]](/file/p_img/1749634.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SJ512
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.25 Ом/2.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
Крутизна характеристики, S | 3.7 |
Корпус | SC-67/2-10R1B |
2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]
![2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]](/file/p_img/1749633.jpg)
Производитель: NEC, 2SJ449
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 Ом/3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
Крутизна характеристики, S | 3.5 |
Корпус | MP-45F/TO-220F |
2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной

Производитель: Нет торговой марки, 2SJ307
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом/3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
Крутизна характеристики, S | 5 |
Корпус | TO-220ML |