Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]
2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]
Производитель: Renesas Technology, 2SK1317-E
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 12 Ом/2А, 15В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 450
Корпус to-3p

MOSFET, N, TO-3P Корпус TO3P, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1.5 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета…

2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]
2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]
Производитель: Toshiba, 2SK117-GR
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.01
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Крутизна характеристики, S 15
Корпус TO-92/SC-43/2-5F1D

2SK1117, Транзистор, N-канал, [TO-220AB]
2SK1117, Транзистор, N-канал, [TO-220AB]
Производитель: Toshiba, 2SK1117
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.25 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 4
Корпус TO-220AB/SC-46/2-10P1B

2SK1102, N-канальный полевой транзистор
2SK1102, N-канальный полевой транзистор
Производитель: Нет торговой марки, 2SK1102
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 900
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S 4
Корпус SC-67

2SJ668(TE16L1,NQ), Транзистор MOSFET P-CH Si 60В 5А [2-7J1B]
2SJ668(TE16L1,NQ), Транзистор MOSFET P-CH Si 60В 5А [2-7J1B]
Производитель: Toshiba, 2SJ668(TE16L1,NQ)
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.17 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 20
Крутизна характеристики, S 5
Корпус 2-7j1b

2SJ598, Транзистор MOSFET P-канал [TO-220]
Производитель: Китай, 2SJ598
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Крутизна характеристики, S 11
Корпус to-220

2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
Производитель: Toshiba, 2SJ512
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.25 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Крутизна характеристики, S 3.7
Корпус SC-67/2-10R1B

2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]
2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]
Производитель: NEC, 2SJ449
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.8 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 3.5
Корпус MP-45F/TO-220F

2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной
2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной
Производитель: Нет торговой марки, 2SJ307
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Крутизна характеристики, S 5
Корпус TO-220ML