EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

2П303Г никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
2П303Г никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
Производитель: Россия, 2П303Г никель
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.02
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.2
Крутизна характеристики, S 3…7
Корпус kt-112

2П302А, Полевой N-канальный транзистор, входные каскады малошумящих усилителей, широкополосные усилители
2П302А, Полевой N-канальный транзистор, входные каскады малошумящих усилителей, широкополосные усилители
Производитель: Россия, 2П302А
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.024
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Крутизна характеристики, S 5…12
Корпус kt-27

2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114]
2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114]
Производитель: Россия, 2П301Б
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.015
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.2
Крутизна характеристики, S 1…2.6
Корпус kt-114

2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3]
2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3]
Производитель: ON Semiconductor, 2N7002LT1G
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 80
Корпус SOT-23-3

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor

2N7002L, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
2N7002L, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, 2N7002L
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 80
Корпус SOT-23-3

МОП-транзистор FET 60V 5.0 OHM SOT323

2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
Производитель: Vishay, 2N7002K-T1-GE3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Корпус SOT-23-3

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 60 до 90 В, Vishay Semiconductor

2N7002K, Транзистор полевой _ [SOT-23] Single-ESD, Gross Die: 230K;N/P- N; VDSS (V) 60 ESD защита д
2N7002K, Транзистор полевой _ [SOT-23] Single-ESD, Gross Die: 230K;N/P- N; VDSS (V) 60 ESD защита д
Производитель: Hottech, 2N7002K

2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]
2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]
Производитель: Micro Commercial Components, 2N7002DW-TP

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60 В 115 мА 200 мВт для поверхностного монтажа SOT-363

2N7002-TP, Транзистор MOSFET N-канал 60В 0.115А [SOT-23]
2N7002-TP, Транзистор MOSFET N-канал 60В 0.115А [SOT-23]
Производитель: Micro Commercial Components, 2N7002-TP

2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, 2N7002
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 80
Корпус SOT-23-3

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с и…