Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

2SK246Y, Транзистор, N-канал [TO-92]
2SK246Y, Транзистор, N-канал [TO-92]
Производитель: Китай, 2SK246Y
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.01
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус to-92

2SK2466, Транзистор, N-канал [TO-220F]
2SK2466, Транзистор, N-канал [TO-220F]
Производитель: Toshiba, 2SK2466
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.046 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Корпус SC-67/2-10R1B

2SK241(Y), Транзистор, N-канал, высокочастотный, тюнеры, радиоприемники [TO-92S]
2SK241(Y), Транзистор, N-канал, высокочастотный, тюнеры, радиоприемники [TO-92S]
Производитель: Нет торговой марки, 2SK241(Y)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.03
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.2
Крутизна характеристики, S 10
Корпус 2-4E1D

2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P]
2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P]
Производитель: Toshiba, 2SK2313(F)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Корпус SC-65/2-16C1B

2SK2275, Полевой N-канальный транзистор
2SK2275, Полевой N-канальный транзистор
Производитель: NEC, 2SK2275
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.8 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 1
Корпус MP-45F/TO-220F

2SK2232, Транзистор, L2-TT-MOSV, N-канал, 60В, 25А [SC-67 / 2-10R1B]
2SK2232, Транзистор, L2-TT-MOSV, N-канал, 60В, 25А [SC-67 / 2-10R1B]
Производитель: Toshiba, 2SK2232
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.046 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 16
Корпус SC-67/2-10R1B

2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]
2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]
Производитель: Renesas Technology, 2SK2225-E
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 12 Ом/1А, 15В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S 0.75
Корпус TO-3PFM

2SK2161, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А, 25 Вт, [TO-220F]
Производитель: Нет торговой марки, 2SK2161
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.35 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики, S 6
Корпус TO-220ML

2SK2141, Транзистор, N-канал [TO-220F]
2SK2141, Транзистор, N-канал [TO-220F]
Производитель: NEC, 2SK2141
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.1 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 2
Корпус MP-45F/TO-220F

2SK2134, Транзистор, N-канал, 200В, 13А [TO-220AB]
2SK2134, Транзистор, N-канал, 200В, 13А [TO-220AB]
Производитель: NEC, 2SK2134
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.4 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Крутизна характеристики, S 2
Корпус MP-25/TO-220AB