ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Нет торговой марки
2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Нет торговой марки
Артикул
2SJ307
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749632
Технические параметры
Вес, г
3.5
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
30
Крутизна характеристики, S
5
Корпус
TO-220ML
Пороговое напряжение на затворе
-2.5
Техническая документация
2SJ307 datasheet , pdf
, 89 КБ