ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SJ512
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749634
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.25 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
30
Крутизна характеристики, S
3.7
Корпус
SC-67/2-10R1B
Пороговое напряжение на затворе
-3.5
Техническая документация
Datasheet 2SJ512 , pdf
, 455 КБ