ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Renesas Technology
2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]
Последняя цена
470 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, N, TO-3P
Корпус TO3P, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1.5 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 Ом
Информация
Производитель
Renesas Technology
Артикул
2SK1317-E
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749641
Технические параметры
Вес, г
5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
12 Ом/2А, 15В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
100
Крутизна характеристики, S
450
Корпус
to-3p
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
2SK1317 datasheet , pdf
, 52 КБ