AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3]
![AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3]](/file/p_img/1755441.jpg)
Производитель: Alpha & Omega, AO3407A
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.048 Ом/4.3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | SOT-23-3 |
AO3401A, Транзистор P-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3]
![AO3401A, Транзистор P-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3]](/file/p_img/1755439.jpg)
Производитель: Alpha & Omega, AO3401A
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.044 Ом/4.3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Корпус | SOT-23-3 |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.7А [SOT-23-3]
![AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.7А [SOT-23-3]](/file/p_img/1755438.jpg)
Производитель: Alpha & Omega, AO3400A
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0265 Ом/5.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Крутизна характеристики, S | 33 |
| Корпус | SOT-23-3 |
AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](/file/p_img/1753964.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, AFT09MS015NT1
РЧ МОП-транзисторы 136-941 MHz 16W 12.5V
AFT05MS031NR1, РЧ полевой транзистор, 40 В DC, 294 Вт, 136 МГц, 520 МГц, TO-270
Производитель: NXP Semiconductor, AFT05MS031NR1
РЧ МОП-транзисторы MV9 UHF 13.6V
AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](/file/p_img/1753962.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, AFT05MS006NT1
РЧ МОП-транзисторы 136-941 MHz 6 W 7.5V
![AF4502CSLA, Транзистор MOSFET P/N-каналы 30В (D-S) [SOP-8]](/file/p_img/1753935.jpg)
AF4502CSA, Транзистор P-канал/ N-канал 30В (D-S) [SOP-8]
![AF4502CSA, Транзистор P-канал/ N-канал 30В (D-S) [SOP-8]](/file/p_img/1753934.jpg)
Производитель: Anachip Corp., AF4502CSA
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10/8.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0135 Ом/10А, 10В/0.019 Ом/8.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Крутизна характеристики, S | 40/31 |
| Корпус | sop-8 |
475-102N21A-00, Транзистор, RF Mosfet N-Channel 1800W DE475
Производитель: Ixys Corporation, 475-102N21A-00
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1800 |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Корпус | de475 |
2SK793
Производитель: Toshiba
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 1.7 |
| Корпус | SC-65/2-16C1B |