Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]
2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]
Производитель: Toshiba, 2SK3265
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 ом при5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Корпус SC-67/2-10R1B

2SK3264, Транзистор, N-канал [TO-220F]
2SK3264, Транзистор, N-канал [TO-220F]
Производитель: Fuji Electric, 2SK3264
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Крутизна характеристики, S 4
Корпус TO-220F15

2SK3115B, Транзистор, N-канал 600В 6А [TO-220F]
2SK3115B, Транзистор, N-канал 600В 6А [TO-220F]
Производитель: Renesas Technology, 2SK3115B
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 2
Корпус TO-220F

2SK3115 formed pin, Транзистор, N-канал [TO-220F]
2SK3115 formed pin, Транзистор, N-канал [TO-220F]
Производитель: NEC, 2SK3115 formed pin
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 2
Корпус TO-220F

2SK3115, Транзистор, N-канал [TO-220F]
2SK3115, Транзистор, N-канал [TO-220F]
Производитель: NEC, 2SK3115
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 2
Корпус TO-220F

2SK3114
Производитель: NEC
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Крутизна характеристики, S 50
Корпус TO-220F

2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]
2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]
Производитель: Toshiba, 2SK3075(TE12L,Q)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 20
Корпус 2-5n1a

РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS

2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор
Производитель: Toshiba, 2SK3067
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики, S 1.7
Корпус SC-67/2-10R1B

2SK3019TL, Транзистор, N-канал, 30В, 0.1А [SOT-416]
2SK3019TL, Транзистор, N-канал, 30В, 0.1А [SOT-416]
Производитель: Rohm, 2SK3019TL
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8 Ом/0.01А, 4В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.15
Крутизна характеристики, S 20
Корпус SOT-416

Корпус SOT-563, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F]
2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F]
Производитель: Toshiba, 2SK2996
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 ом при5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус SC-67/2-10R1B