2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]
![2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]](/file/p_img/1749692.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK3265
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 ом при5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
Корпус | SC-67/2-10R1B |
2SK3264, Транзистор, N-канал [TO-220F]
![2SK3264, Транзистор, N-канал [TO-220F]](/file/p_img/1749691.jpg)
Производитель: Fuji Electric, 2SK3264
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/3.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
Крутизна характеристики, S | 4 |
Корпус | TO-220F15 |
2SK3115B, Транзистор, N-канал 600В 6А [TO-220F]
![2SK3115B, Транзистор, N-канал 600В 6А [TO-220F]](/file/p_img/1749690.jpg)
Производитель: Renesas Technology, 2SK3115B
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
Крутизна характеристики, S | 2 |
Корпус | TO-220F |
2SK3115 formed pin, Транзистор, N-канал [TO-220F]
![2SK3115 formed pin, Транзистор, N-канал [TO-220F]](/file/p_img/1749689.jpg)
Производитель: NEC, 2SK3115 formed pin
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
Крутизна характеристики, S | 2 |
Корпус | TO-220F |
2SK3115, Транзистор, N-канал [TO-220F]
![2SK3115, Транзистор, N-канал [TO-220F]](/file/p_img/1749688.jpg)
Производитель: NEC, 2SK3115
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/3А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
Крутизна характеристики, S | 2 |
Корпус | TO-220F |
2SK3114
Производитель: NEC
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.2 Ом/2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
Крутизна характеристики, S | 50 |
Корпус | TO-220F |
2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](/file/p_img/1749686.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK3075(TE12L,Q)
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
Корпус | 2-5n1a |
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор

Производитель: Toshiba, 2SK3067
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4200 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
Крутизна характеристики, S | 1.7 |
Корпус | SC-67/2-10R1B |
2SK3019TL, Транзистор, N-канал, 30В, 0.1А [SOT-416]
![2SK3019TL, Транзистор, N-канал, 30В, 0.1А [SOT-416]](/file/p_img/1749684.jpg)
Производитель: Rohm, 2SK3019TL
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 Ом/0.01А, 4В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
Крутизна характеристики, S | 20 |
Корпус | SOT-416 |
Корпус SOT-563, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…
2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F]
![2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F]](/file/p_img/1749683.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SK2996
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 ом при5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
Крутизна характеристики, S | 6.8 |
Корпус | SC-67/2-10R1B |