Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

AUIRF1010Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-220AB]
AUIRF1010Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, AUIRF1010Z
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 94
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0075 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Корпус TO-220AB

International Rectifier представляет семейство МОП-транзисторов с автомобильной квалификацией для целого ряда применений, требующих низкого сопро…

AUIRF1010EZ, Транзистор
AUIRF1010EZ, Транзистор
Производитель: International Rectifier, AUIRF1010EZ
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 84
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0085 Ом/51А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Корпус TO-220AB

International Rectifier представляет семейство МОП-транзисторов с автомобильной квалификацией для целого ряда применений, требующих низкого сопро…

APM4015PUC-TRG, Транзистор, P-канальный, 40 В, 45 А, 50 Вт, [TO-252]
APM4015PUC-TRG, Транзистор, P-канальный, 40 В, 45 А, 50 Вт, [TO-252]
Производитель: Anpec Electronics, APM4015PUC-TRG
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

APM4010NUC-TRG, Транзистор, N-канальный, 40В 57А 50Вт, [TO-252]
APM4010NUC-TRG, Транзистор, N-канальный, 40В 57А 50Вт, [TO-252]
Производитель: Anpec Electronics, APM4010NUC-TRG
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт, [SOP-8]
AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт, [SOP-8]
Производитель: Advanced Power Electronics, AP4525GEM
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/6А, 10В/0.042 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 6/5
Корпус soic-8

AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]
Производитель: Advanced Power Electronics, AP4511GM
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7/6.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 9/9
Корпус soic-8

AP4232BGM-HF-3TR, Транзистор Mosfet, 2N-канала, 7.6 А, 30 В, 0.022 Ом, 10 В, 1 В, [SOIC-8]
AP4232BGM-HF-3TR, Транзистор Mosfet, 2N-канала, 7.6 А, 30 В, 0.022 Ом, 10 В, 1 В, [SOIC-8]
Производитель: Advanced Power Electronics, AP4232BGM-HF-3TR

AP40T03GP
AP40T03GP
Производитель: Advanced Power Electronics
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 31
Корпус to-220

AP2761I-A, Транзистор, N-канал 650В 10А 1.0Ом [TO-220CFM(I)]
AP2761I-A, Транзистор, N-канал 650В 10А 1.0Ом [TO-220CFM(I)]
Производитель: Advanced Power Electronics, AP2761I-A
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 ом при5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 37
Крутизна характеристики, S 4.8
Корпус TO-220CFM(I)

AP18N20GH-HF, Полевой транзистор, N-канальный, 200В 18А 89Вт [TO-252]
AP18N20GH-HF, Полевой транзистор, N-канальный, 200В 18А 89Вт [TO-252]
Производитель: Advanced Power Electronics, AP18N20GH-HF