ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]
Последняя цена
1040 руб.
Сравнить
Описание
РЧ МОП-транзисторы 136-941 MHz 16W 12.5V
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
AFT09MS015NT1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1753964
Технические параметры
Вес, г
0.3
Другие названия товара №
935324771515
Категория продукта
РЧ МОП-транзисторы
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
RF MOSFET Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Тип
RF Power MOSFET
Упаковка
Reel, Cut Tape
Чувствительный к влажности
Yes
Техническая документация
AFT09MS015N , pdf
, 800 КБ
Datasheet AFT09MS015NT1 , pdf
, 855 КБ