ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
475-102N21A-00, Транзистор, RF Mosfet N-Channel 1800W DE475 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
475-102N21A-00, Транзистор, RF Mosfet N-Channel 1800W DE475
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
475-102N21A-00, Транзистор, RF Mosfet N-Channel 1800W DE475
Последняя цена
2170 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
475-102N21A-00
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1750665
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1800
Крутизна характеристики, S
12
Корпус
de475
Техническая документация
de475_102n21a-1267309 , pdf
, 146 КБ