EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

2SK727, Транзистор N-канал 900В 5А 125Вт [SC-65]
2SK727, Транзистор N-канал 900В 5А 125Вт [SC-65]
Производитель: Fuji Electric, 2SK727
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 6
Корпус SC-65

2SK4108(F,T), Транзистор MOSFET N-CH [TO-3P / 2-16C1B]
2SK4108(F,T), Транзистор MOSFET N-CH [TO-3P / 2-16C1B]
Производитель: Toshiba, 2SK4108(F,T)

2SK4101FG, Полевой транзистор, N-канальный, 650В 7А 35Вт [TO-220F]
2SK4101FG, Полевой транзистор, N-канальный, 650В 7А 35Вт [TO-220F]
Производитель: Sanyo, 2SK4101FG
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.1 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 4.6
Корпус to-220f-3sg

2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]
2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]
Производитель: Toshiba, 2SK3878(F)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 7
Корпус SC-65/2-16C1B

2SK3878(F) является 900В N-канальным полевым транзистором для приложений переключения. • Низкое сопротивление во включенном состоянии на…

2SK3850-E, Транзистор N-канал 600В 0.7А [TP]
2SK3850-E, Транзистор N-канал 600В 0.7А [TP]
Производитель: ON Semiconductor, 2SK3850-E

2SK3797, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 13А [SC-67 / 2-10U1B]
2SK3797, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 13А [SC-67 / 2-10U1B]
Производитель: Toshiba, 2SK3797

2SK3747-1E, МОП-транзистор, N Канал, 1500В, 2А, 13Ом [TO-3PF-3L]
2SK3747-1E, МОП-транзистор, N Канал, 1500В, 2А, 13Ом [TO-3PF-3L]
Производитель: ON Semiconductor, 2SK3747-1E
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 13 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 59
Крутизна характеристики, S 1.4
Корпус TO-3PF

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, от 100 до 1700 В, ON Semiconductor

2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]
2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]
Производитель: Toshiba, 2SK3569
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.75 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Крутизна характеристики, S 8.5
Корпус SC-67/2-10U1B

2SK3565(STA4,Q,M, Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B]
2SK3565(STA4,Q,M, Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B]
Производитель: Toshiba, 2SK3565(STA4,Q,M

2SK3564(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 3А [SC-67 / 2-10U1B]
2SK3564(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 3А [SC-67 / 2-10U1B]
Производитель: Toshiba, 2SK3564(STA4,Q,M)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.3 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Крутизна характеристики, S 2.6
Корпус SC-67/2-10U1B