ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]
Последняя цена
627 руб.
Сравнить
Описание
РЧ МОП-транзисторы 136-941 MHz 6 W 7.5V
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
AFT05MS006NT1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1753962
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Рассеиваемая Мощность
128Вт
Напряжение Истока-стока Vds
30В DC
Вес, г
0.3
Корпус РЧ Транзистора
PLD-1.5W
Максимальная Рабочая Частота
941МГц
Минимальная Рабочая Частота
136МГц
Техническая документация
AFT05MS006N , pdf
, 919 КБ
Datasheet AFT05MS006NT1 , pdf
, 989 КБ
Datasheet , pdf
, 991 КБ