BSC060N10NS3GATMA1, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 90 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC060N10NS3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1759719

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2

Ширина

5.15 mm

Высота

1.27 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

90 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Qg - заряд затвора

68 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

5.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16 ns

Время спада

12 ns

Длина

5.9 mm

Другие названия товара №

BSC6N1NS3GXT SP000446584 BSC060N10NS3GATMA1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

43 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Техническая документация

Datasheet BSC060N10NS3GATMA1 , pdf , 659 КБ
Datasheet , pdf , 657 КБ

BSC060N10NS3GATMA1, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация