ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO-92-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BS170
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759673
Технические параметры
Вес, г
0.3
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.83
Крутизна характеристики, S
0.32
Корпус
to-92
Пороговое напряжение на затворе
3
Особенности
приводы электродвигателей
Техническая документация
BS170 , pdf
, 79 КБ
Datasheet BS170 , pdf
, 1403 КБ
Datasheet , pdf
, 1415 КБ