BSP89H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.35А [SOT-223], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP89H6327XTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1759790

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.39

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА

Максимальное рассеяние мощности

1.8 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

240 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.5мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

15,9 нс

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

4 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Число контактов

3 + Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

4,3 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

80 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet BSP89H6327XTSA1 , pdf , 574 КБ
Datasheet , pdf , 653 КБ

BSP89H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.35А [SOT-223] - характеристики, поставщики

Последняя цена 23 руб.

Техническая документация