C3M0280090J, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 900 В, 0.28 Ом, 15 В, 2.1 В
Производитель: WOLFSPEED, C3M0280090J
C3M0280090D, Транзистор MOSFET, N-канал, 900В, 11.5А, [TO-247]
![C3M0280090D, Транзистор MOSFET, N-канал, 900В, 11.5А, [TO-247]](/file/p_img/1760429.jpg)
Производитель: WOLFSPEED, C3M0280090D
C2M1000170J, Транзистор
Производитель: WOLFSPEED, C2M1000170J
Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы…
C2M0040120D, Транзистор
Производитель: WOLFSPEED, C2M0040120D
'Транзистор N-МОП, SiC; технология C2M; 1200 В; 60 А, 40 мОм, 330 Вт; TO-247-3. Технические характеристики: Корпус: TO-247-3; Максимал…
C2M0025120D, Транзистор N-SICFET 1200В 90А [TO-247-3]
![C2M0025120D, Транзистор N-SICFET 1200В 90А [TO-247-3]](/file/p_img/1760417.jpg)
Производитель: Cree, C2M0025120D
Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы…
BUZ91A, N-канальный полевой транзистор, 600v 0.95Om, [D2-PAK/TO-263], (obs)
![BUZ91A, N-канальный полевой транзистор, 600v 0.95Om, [D2-PAK/TO-263], (obs)](/file/p_img/1760059.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BUZ91A
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 8.5 |
| Корпус | to-220 |
BUZ92, N-канальный полевой транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BUZ92
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом/2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 |
| Корпус | to-220 |
BUZ90AF, Транзистор полевой, N-канал, Id=4А, Vdss=600В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=2 Ом [TO-220F]
![BUZ90AF, Транзистор полевой, N-канал, Id=4А, Vdss=600В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=2 Ом [TO-220F]](/file/p_img/1760057.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BUZ90AF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/2.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Корпус | TO-220F |
BUZ90AF, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4А 2Ом [TO-220F]
![BUZ90AF, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4А 2Ом [TO-220F]](/file/p_img/1760056.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BUZ90AF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/2.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 |
| Корпус | TO-220F |