ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRF7240PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772702
Технические параметры
Вес, г
0.2
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
10.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.015 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
17
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
-3
Техническая документация
IRF7240 Datasheet , pdf
, 230 КБ