Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.056 Ом/5.6a, 10В
Корпус	DirectFET-MZ

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0022 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	100
Крутизна характеристики, S	150
Корпус	DirectFET-MZ

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.00125 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	96
Крутизна характеристики, S	140
Корпус	DirectFET-MZ

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0059 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	15
Крутизна характеристики, S	21
Корпус	DirectFET-S1

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.022 Ом/8.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	89
Крутизна характеристики, S	11
Корпус	DirectFET-MZ

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0345 Ом/7.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	89
Крутизна характеристики, S	16
Корпус	DirectFET-MZ

Digital Audio MOSFET, Infineon усилители класса D быстро становятся предпочтительным решением для профессиональных и домашни…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	55
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0083 Ом/12.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	42
Крутизна характеристики, S	71
Корпус	DirectFET-S1

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.28 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	6.7
Корпус	TO-220AB

• Динамический рейтинг dV / dt • Рейтинг повторяющихся лавин • Простота параллельного подключения • Простые требования к приводу…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.18 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	130
Крутизна характеристики, S	6.7
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

МОП-транзистор N-Chan 200V 18 Amp

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	6.8
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150…

Сравнить