IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7204TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772697

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

100 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

860 pF @ -10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Техническая документация

irf7204pbf , pdf , 246 КБ
Datasheet IRF7204TRPBF , pdf , 244 КБ

IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация