IRF8010STRLPBF, Nкан 100В 80А D2Pak, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF8010STRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772818

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Высота

4.83mm

Length

10.67мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

81 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Maximum Power Dissipation

260 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

9.65mm

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

IRF8010STRLPBF, Nкан 100В 80А D2Pak - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.