IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 68 руб.

Сравнить

Описание

N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF8788TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772836

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

24 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

Длина

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

23 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Типичное время задержки включения

23 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

5720 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

95S

Техническая документация

IRF8788PBF Datasheet , pdf , 228 КБ
irf8788pbf , pdf , 230 КБ

IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 68 руб.

Техническая документация