ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.6 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF9310TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772838
Технические параметры
Вес, г
0.16
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0046 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
39
Корпус
soic-8
Техническая документация
Datasheet IRF9310 , pdf
, 278 КБ
Datasheet , pdf
, 233 КБ