ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]
Последняя цена
65 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF9530NSTRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772859
Технические параметры
Вес, г
2.5
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
14A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
79W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
200mО© @ 8.4A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
IRF9530NSTRLPBF , pdf
, 806 КБ
Datasheet , pdf
, 818 КБ
![IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]](/file/p_img/1772859.jpg)