ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB11N50APBF, Транзистор N-канал 500В 11А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFB11N50APBF, Транзистор N-канал 500В 11А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFB11N50APBF, Транзистор N-канал 500В 11А [TO-220AB]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFB11N50APBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772878
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.52 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
170
Крутизна характеристики, S
6.1
Корпус
TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
IRFB11N50A, SiHFB11N50A_Datasheet , pdf
, 138 КБ
Datasheet IRFB11N50APBF , pdf
, 139 КБ