IRFB23N15DPBF, Транзистор MOSFET N-канал 150В 23А [TO-220АB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

• Полностью охарактеризованная емкость, включая эффективные COSS для упрощения конструкции
• Полностью охарактеризованные лавинное напряжение и ток

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFB23N15DPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772884

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.5

Максимальный непрерывный ток стока

23 А

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

19.3мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

90 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

18 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 19.3мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

37 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1200 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

irfs23n15dpbf , pdf , 279 КБ
Datasheet IRFB23N15DPBF , pdf , 279 КБ

IRFB23N15DPBF, Транзистор MOSFET N-канал 150В 23А [TO-220АB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация