ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFD9014PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772961
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.6
Максимальный непрерывный ток стока
1,1 А
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
6.29мм
Высота
3.37мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Длина
5мм
Типичное время задержки выключения
10 нс
Тип корпуса
HVMDIP
Размеры
5 x 6.29 x 3.37мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
4
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
270 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
sihfd901 , pdf
, 1753 КБ