Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	41
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.036 Ом/23А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	155
Крутизна характеристики, S	13
Корпус	to-247ac

IRFP150NPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на…

Сравнить

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	110
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.008 Ом/59А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	42
Корпус	to-247ac

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.009 Ом/78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	300
Крутизна характеристики, S	38
Корпус	to-247ac

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 60 до 90 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	81
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.012 Ом/43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	170
Крутизна характеристики, S	30
Корпус	to-247ac

Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.024 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.25
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	Micro-3/SOT-23-3

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Inf…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.2 Ом/0.66А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Крутизна характеристики, S	0.82
Корпус	SOT-223

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.5 Ом/1.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Крутизна характеристики, S	1.3
Корпус	SOT-223

IRFL9014TRPBF - это силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом на -60 В, силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения предоставляет разрабо…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 Ом/1.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Крутизна характеристики, S	1.5
Корпус	SOT-223

IRFL4310TRPBF - это N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET® пятого поколения, использующий передовые технологии обработки для достижения чрез…

Сравнить