ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFI4510G, Nкан 100В 35А TO220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRFI4510G, Nкан 100В 35А TO220FP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFI4510G, Nкан 100В 35А TO220FP
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRFI4510G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773003
Технические параметры
Вес, г
2.84
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0135 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
42
Крутизна характеристики, S
55
Корпус
to-220fp
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
irfi4510gpbf , pdf
, 227 КБ