ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPW11N80C3FKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1792491
Технические параметры
Вес, г
7.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
156
Крутизна характеристики, S
7.5
Корпус
PG-TO247
Пороговое напряжение на затворе
3.9
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 139 КБ
SPW11N80C3 datasheet , pdf
, 246 КБ
Datasheet , pdf
, 507 КБ