ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SQD40N06-14L-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 40А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SQD40N06-14L-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 40А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SQD40N06-14L-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 40А [D-PAK]
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, серия Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
МОП-транзисторы серии
SQ
от Vishay Semiconductor предназначены для всех автомобильных приложений, требующих прочности и высокой надежности.
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SQD40N06-14L-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1792707
Технические параметры
Вес, г
0.6
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Brand
Vishay
Series
SQ Rugged
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22mm
Height
2.38mm
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Automotive Standard
AEC-Q101
Техническая документация
SQD40N06 , pdf
, 196 КБ