ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP]
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-220FP]; Тип: N; Uси: 950 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 1.25 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.25 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF6N95K5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793244
Технические параметры
Вес, г
2
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
9A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
25W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
1.25О© @ 3A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
950V
Vgs - Gate-Source Voltage
5V @ 100uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1259 КБ
stf6n95k5 , pdf
, 917 КБ
Datasheet STF6N95K5 , pdf
, 932 КБ