ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223]
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 600V V(BR)DSS, 250MA I(D), SOT-223
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 300 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 15 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STN1NK60Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793547
Технические параметры
Вес, г
0.39
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
15 Ом/0.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
3.3
Крутизна характеристики, S
0.5
Корпус
SOT-223
Техническая документация
STN1NK60Z, STQ1NK60Z-AP Datasheet , pdf
, 1003 КБ
Datasheet , pdf
, 1004 КБ