ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220]
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP16N65M5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793587
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.299 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
90
Корпус
to-220
Техническая документация
STP16N65M5 , pdf
, 1100 КБ
Datasheet , pdf
, 1085 КБ