ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP18N60M2, Транзистор N-MOSFET 600В 13A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP18N60M2, Транзистор N-MOSFET 600В 13A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP18N60M2, Транзистор N-MOSFET 600В 13A [TO-220]
Последняя цена
370 руб.
Сравнить
Описание
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP18N60M2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793588
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Рассеиваемая Мощность
110Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600в
Непрерывный Ток Стока
13А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.255Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Вес, г
2.7
Линейка Продукции
MDmesh II Plus Series
Техническая документация
dm00086800-1797859 , pdf
, 837 КБ
Datasheet STP18N60M2 , pdf
, 857 КБ
Datasheet STP18N60M2 , pdf
, 1201 КБ
Datasheet , pdf
, 837 КБ