BSS225, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BSS225
Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом
IRLMS5703TR, Транзистор
Производитель: International Rectifier, IRLMS5703TR
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сто…
IRFL4315, Транзистор
Производитель: International Rectifier, IRFL4315
MOSFET, N, 150V, 2.6A, SOT-223; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 150V; Current, Id Cont: 2.6A; Resistance, Rds On:…
SPP24N60C3, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, SPP24N60C3
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
HUF76107D3ST, 20A/30V 52 mOm N-L
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF76107D3ST
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Корпус | TO-252AA |
HUF76107D3S, 20A/30V 52 mOm N-L
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUF76107D3S
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Корпус | TO-252AA |
ZXMN6A11GTA, Транзистор MOSFET, N-канал, 60В, 3.1А, [SOT-223]
![ZXMN6A11GTA, Транзистор MOSFET, N-канал, 60В, 3.1А, [SOT-223]](/file/p_img/1800061.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, ZXMN6A11GTA
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
ZVP4424G, Транзистор MOSFET P-CH 240В 0.48А Automotive [SOT-223]
![ZVP4424G, Транзистор MOSFET P-CH 240В 0.48А Automotive [SOT-223]](/file/p_img/1800056.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, ZVP4424G
ZVP4424G представляет собой вертикальный DMOSFET-транзистор с P-каналом и режимом расширения с литым пластиковым корпусом и клеммами с матовой о…
ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]
![ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]](/file/p_img/1800055.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, ZVP3310A
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.14 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 Ом/0.15А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Крутизна характеристики, S | 0.05 |
| Корпус | E-Line-3/TO-92 |
МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.
ZVP2110A, Транзистор MOSFET P-CH 100В 0.23А [TO-92-3]
![ZVP2110A, Транзистор MOSFET P-CH 100В 0.23А [TO-92-3]](/file/p_img/1800054.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, ZVP2110A
МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.