TK6A60D(STA4,Q,M), Транзистор MOSFET N-канал 600В 6A [2-10U1B], Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 480 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 600V 6A (Ta) 40W (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK6A60D(STA4,Q,M)

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1795492

Технические параметры

Вес, г

Series

ПЂ-MOSVII ->

Base Product Number

TA58M09 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

40W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-220SIS

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Техническая документация

TK6A60D , pdf , 263 КБ
Datasheet TK6A60D(STA4.Q.M) , pdf , 269 КБ
Datasheet TK6A60D(STA4,Q,M) , pdf , 275 КБ

TK6A60D(STA4,Q,M), Транзистор MOSFET N-канал 600В 6A [2-10U1B] - характеристики, поставщики

Последняя цена 480 руб.

Техническая документация