ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK15J50D(F), Транзистор, TT-MOSVII, N-канал, 500В, 15А [SC-65 / 2-16C1B] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK15J50D(F), Транзистор, TT-MOSVII, N-канал, 500В, 15А [SC-65 / 2-16C1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK15J50D(F), Транзистор, TT-MOSVII, N-канал, 500В, 15А [SC-65 / 2-16C1B]
Последняя цена
390 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK15J50D(F)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1795469
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
4.6
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.8мм
Высота
19мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
40.5мм
Серия
TK
Типичное время задержки выключения
110 нс
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.9 x 4.8 x 19мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
80 нс
Производитель
Toshiba
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1800 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
TK15J50D , pdf
, 186 КБ