ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS]
Последняя цена
95 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK12A60D(STA4,Q,M)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1795467
Технические параметры
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
3.5
Ширина
4.5 mm
Высота
15 mm
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
45 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Вид монтажа
Through Hole
Длина
10 mm
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
TK12A60D
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Техническая документация
TK12A60D_datasheet_en_20131101-1150416 , pdf
, 183 КБ