BSS225, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS225

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1803840

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.5

Максимальный непрерывный ток стока

90 мА

Максимальное рассеяние мощности

5 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

2.5мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

45 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

4.5мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

62 нс

Тип корпуса

SOT-89

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

99 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

BSS225, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.