ZXMN6A11GTA, Транзистор MOSFET, N-канал, 60В, 3.1А, [SOT-223], Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN6A11GTA

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1800061

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

4.4 A

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Высота

1.8мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.7мм

Типичное время задержки выключения

8.2 ns

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

1,95 нс

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

5,7 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

330 пФ при 40 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

ZXMN6A11G , pdf , 499 КБ
Datasheet , pdf , 539 КБ
Datasheet ZXMN6A11GTA , pdf , 498 КБ

ZXMN6A11GTA, Транзистор MOSFET, N-канал, 60В, 3.1А, [SOT-223] - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация