ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVP3310A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1800055
Технические параметры
Вес, г
0.3
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
20 Ом/0.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.625
Крутизна характеристики, S
0.05
Корпус
E-Line-3/TO-92
Техническая документация
ZVP3310A , pdf
, 89 КБ
Datasheet ZVP3310A , pdf
, 128 КБ