ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVP2110A, Транзистор MOSFET P-CH 100В 0.23А [TO-92-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVP2110A, Транзистор MOSFET P-CH 100В 0.23А [TO-92-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZVP2110A, Транзистор MOSFET P-CH 100В 0.23А [TO-92-3]
Последняя цена
114 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVP2110A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1800054
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.3
Максимальный непрерывный ток стока
230 mA
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.41мм
Высота
4.01мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
4.77мм
Типичное время задержки выключения
12 ns
Тип корпуса
E-Line
Размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичная входная емкость при Vds
100 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
ZVP2110A , pdf
, 71 КБ
Datasheet ZVP2110A , pdf
, 97 КБ