ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP60R199CP, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP60R199CP, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPP60R199CP, Транзистор
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPP60R199CP
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1807793
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
1
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное рассеяние мощности
139 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.57мм
Высота
15.95мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
490 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.36мм
Серия
CoolMOS CP
Типичное время задержки выключения
50 ns
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
32 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1520 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 381 КБ