ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPW55N80C3, Транзистор 500W 54.9A 800V N Channel 0.085 32.6A,10V 3.9V 3.3mA [PG-TO247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPW55N80C3, Транзистор 500W 54.9A 800V N Channel 0.085 32.6A,10V 3.9V…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPW55N80C3, Транзистор 500W 54.9A 800V N Channel 0.085 32.6A,10V 3.9V 3.3mA [PG-TO247-3]
Последняя цена
2480 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPW55N80C3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1807882
Технические параметры
Вес, г
8
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-247
Transistor Material
Si
Length
16.13mm
Brand
Infineon
Series
CoolMOS C3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
288 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Power Dissipation
500 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
21.1mm
Height
5.21mm
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
0.95V