FQD7N10LTM, Транзистор, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

• 100% лавинные испытания
• Типичный низкий заряд затвора 4,6 нКл
• Типичный низкий коэффициент сопротивления 12 пФ

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FQD7N10LTM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1807973

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.557

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное рассеяние мощности

2.5 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.1мм

Высота

2.3мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.6мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

17 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 6.1 x 2.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4,6 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

220 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet FQD7N10LTM , pdf , 1344 КБ
Datasheet FQD7N10LTM , pdf , 1175 КБ

FQD7N10LTM, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация