IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264]
![IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264]](/file/p_img/1746456.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXYK100N120C3
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.5 |
| Корпус | TO-264 |
| Технология/семейство | genx3, xpt |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 188 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1150 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 123 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 490 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 32 |
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких…
IXXH80N65B4, Транзистор БТИЗ, 650В 160A 625Вт TO247AD
Производитель: Ixys Corporation
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
DSEK60-02A
Производитель: Ixys Corporation
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO3PF, АБКорпус TO3PF, Схема включения диодов 2, общий к…
MUBW15-12A6K, Модуль IGBT
Производитель: Ixys Corporation, MUBW15-12A6K
SemiconductorsДискретные полупроводниковые модули 15 Amps 1200V
MMIX1Y100N120C3H1, IGBT, 92 A 1200 V, 24-Pin SMPD
Производитель: Ixys Corporation, MMIX1Y100N120C3H1
Semiconductors Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащен…
MKI50-06A7, Модуль IGBT
Производитель: Ixys Corporation, MKI50-06A7
Semiconductors Модули IGBT, IXYS
MIXA450PF1200TSF, Модуль транзистора IGBT
Производитель: Ixys Corporation, MIXA450PF1200TSF
Semiconductors Модули IGBT, IXYS
MII75-12A3, Модуль IGBT
Производитель: Ixys Corporation, MII75-12A3
Semiconductors Модули IGBT, IXYS
MID200-12A4, Модуль IGBT
Производитель: Ixys Corporation, MID200-12A4
Semiconductors Модули IGBT, IXYS