IXYH40N120B3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 1200В, 40А, 183нс [TO-247AD]
![IXYH40N120B3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 1200В, 40А, 183нс [TO-247AD]](/file/p_img/1774097.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXYH40N120B3D1
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 |
Корпус | TO-247AD |
Технология/семейство | genx3, xpt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 86 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 480 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 177 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 22 |
IGBT 1200V 86A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]
![IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]](/file/p_img/1774096.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXXK160N65B4
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
Корпус | TO-264 |
Технология/семейство | genx4, xpt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 310 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 940 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 220 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 860 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 52 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IXXH60N65C4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 60А, 30нс [TO-247]
![IXXH60N65C4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 60А, 30нс [TO-247]](/file/p_img/1774095.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXXH60N65C4
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
Корпус | TO-247AD |
Технология/семейство | genx4, xpt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 118 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 455 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 133 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 37 |
IXXH50N60C3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
![IXXH50N60C3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]](/file/p_img/1774094.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXXH50N60C3D1
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
Корпус | TO-247AD |
Технология/семейство | genx3, xpt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 62 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 24 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
IXXH50N60C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
![IXXH50N60C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]](/file/p_img/1774093.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXXH50N60C3
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
Корпус | TO-247AD |
Технология/семейство | genx3, xpt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 62 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 24 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
IXGX32N170H1, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 290нс [TO-247]
![IXGX32N170H1, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 290нс [TO-247]](/file/p_img/1774074.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXGX32N170H1
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.3 |
Корпус | plus-247 |
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 350 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 270 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 45 |
IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)]
![IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)]](/file/p_img/1774073.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXGN200N60B3
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.5 |
Корпус | SOT-227B |
Технология/семейство | genx3, pt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 300 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 830 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 1200 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
IXGH6N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 6А, 290нс [TO-247]
![IXGH6N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 6А, 290нс [TO-247]](/file/p_img/1774072.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXGH6N170
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 4 |
Корпус | TO-247AD |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 12 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 75 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 250 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 24 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds
IXGH48N60C3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 48А, 38нс [TO-247]
![IXGH48N60C3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 48А, 38нс [TO-247]](/file/p_img/1774071.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXGH48N60C3
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
Корпус | TO-247AD |
Технология/семейство | genx3, pt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 300 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 60 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 250 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 19 |
IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
IXGH32N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 250нс [TO-247AD]
![IXGH32N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 250нс [TO-247AD]](/file/p_img/1774070.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXGH32N170
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.3 |
Корпус | TO-247AD |
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 350 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 270 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 45 |
IGBT NPT 1700V 75A 350W сквозное отверстие TO-247AD (IXGH)